半導体構成素子の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571503
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525877
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明は、交互に異なる導電型の半導体領域(4,5)が半導体本体に配置された半導体構成素子の製造方法に関するものであり、この半導体領域は半導体本体(1)内を少なくとも第1ゾーン(6)から第2ゾーン(1)の近傍まで伸張しており、トレンチ(11,14)およびその充填部から可変にドーピングすることにより両方の領域(6,1)から上昇する経過を有する電界を形成する。

請求項（抜粋）：

阻止型pn接合部を有する半導体本体と、第1の導電形式の第1ゾーン(7)と、第1の導電形式の第2ゾーン(1)とを有する半導体構成素子の製造方法であって、前記第1ゾーンは第1の電極(10)と接続されており、第2の導電形式の、阻止型pn接合部を形成するゾーン(6)に当接しており、前記第2ゾーンは第2の電極(2)と接続されており、第1の導電形式と第2の導電形式とは反対の導電形式であり、第2ゾーン(1)に向いた側の、第2の導電形式のゾーン(6)は第1の表面(A)を形成し、第2の表面(B)は第1の表面(A)と第2のゾーン(1)との間に配置されており、前記第1の表面(A)と第2の表面(B)との間の領域(4,5)では第1の導電形式の領域と第2の導電形式の領域とが相互に入り込んでいる形式の半導体構成素子の製造方法において、第1の導電形式と第2の導電形式の領域(4,5)を、トレンチ(11,14)およびその充填部からのドーピングによって次のように形成する、すなわち、第1の表面(A)の近傍領域(I)では第2の導電形式の電荷担体が優勢であり、第2の表面(B)の近傍領域(III)では第1の導電形式の電荷担体が優勢であるように形成する、ことを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 652 A , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-084069
特開昭63-084069
特開昭63-084069

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