特許

J-GLOBAL ID：200903089358250560

有機ELトランジスタ

発明者： 家地 洋之 ,  秋山 善一 ,  近藤 浩 ,  田野 隆徳
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187983
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 動作速度を向上させると共に大電力化を可能とした発光効率の高い有機ELトランジスタを低コストで提供する。【解決手段】 対向して設けたソース電極5及びドレイン電極2を有すると共に、該ソース電極5とドレイン電極2との間に有機半導体層3を有し、そして、該有機半導体層3中の略中央部分に間隔をあけて該ソース電極5及びドレイン電極2と略平行に配置した櫛状又はメッシュ状のゲート電極4を有する有機ELトランジスタ10において、該有機半導体層3が電界発光有機半導体材料で構成されたものとする。前記電界発光有機半導体材料は、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン系化合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合物、トリフェニルメタン化合物、スチルベン化合物、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン等の化合物で構成される。

請求項（抜粋）：

対向して設けたソース電極及びドレイン電極を有すると共に、該ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体層を有し、そして、該有機半導体層中の略中央部分に間隔をあけて該ソース電極及びドレイン電極と略平行に配置した櫛状又はメッシュ状のゲート電極を有する有機ELトランジスタであって、該有機半導体層が電界発光有機半導体材料で構成されていることを特徴とする有機ELトランジスタ。

IPC (6件)：

H05B 33/26 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14

FI (6件)：

H05B 33/26 A ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/12 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/28

Fターム (16件)：

3K007AB03 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA21 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5C094FB16