特許

J-GLOBAL ID：200903089358252334

気相成長装置

発明者： 阿久津 仲男 ,  青山 和弘 ,  稲石 美明 ,  脇 一太郎
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025505
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223543
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 良質で均一性に優れた薄膜、特に二成分系以上の化合物半導体薄膜を効率よく得られる気相成長装置を提供する。【解決手段】 基板4より上流側の反応管1内に基板面と平行に配設した仕切板6の先端部8の肉厚を薄くする。

請求項（抜粋）：

薄膜を形成する基板より上流側の反応管内に、基板面と平行な仕切板を配設した気相成長装置において、前記仕切板の先端部の肉厚を連続的に薄くなるように形成したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502 D

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平2-192118
  

審査官引用 (1件)

• 特開平2-192118