特許

J-GLOBAL ID：200903089361965880

半導体製造装置

発明者： 有働 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326408
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 CVD装置などにおいて、反応室内の半導体ウエハに付着するパーティクルを低減する。【構成】 半導体ウエハ5を収容する反応室4内に設けられたガス導入管9の開口部9aの近傍にガス吹き付け防止カバー11を設けることにより、開口部9aから噴出されるガスが半導体ウエハ5に直接吹きかからないようにしたCVD装置1である。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを収容する反応室内にガス導入管を通じて所定のガスを導入する機構を備えた半導体製造装置であって、前記反応室内のガス導入管の開口部近傍に、前記開口部から噴出されるガスが半導体ウエハに直接吹きかかるのを防止するためのガス吹き付け防止カバーを設けたことを特徴とする半導体製造装置。