特許
J-GLOBAL ID：200903089362217020
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055353
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251485
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い実装を行うことのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本半導体装置は、下面にアレイ状に配置された外部端子14を有し、上面に半導体素子12を装着させ、半導体素子の電極と外部端子とを電気的に接続した配線を備える配線テープ16と、半導体素子を挟んで配線テープ上に接着(18)され、補強及び放熱機能の少なくとも一方を有し、配線テープとは熱膨張係数の異なる板状体32との積層構造を有する半導体装置である。本半導体装置では、積層構造の熱変形による湾曲方向とは異なる方向の湾曲変形を引き起こすような変形加工が板状体に予め施されている。
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子を装着させ、下面にアレイ状に配置された外部端子を有し、半導体素子の電極と外部端子とを電気的に接続した配線を備える配線テープと、半導体素子を挟んで配線テープ上に接着され、補強及び放熱機能の少なくとも一方を有し、配線テープとは熱膨張係数の異なる板状体との積層構造を有する半導体装置において、前記積層構造の熱変形による湾曲方向とは異なる方向の湾曲変形を引き起こすような変形加工が前記板状体に予め施されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 L
