特許

J-GLOBAL ID：200903089378510640

絶縁基板上への半導体薄膜の形成方法

発明者： 小倉 勉
出願人/特許権者： 株式会社山武
代理人 (2件)： 長門 侃二 ,  山中 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-250815
公開番号（公開出願番号）：特開2004-090102
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】均一な膜厚と良質な結晶性を有する半導体薄膜の絶縁基板上への形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板12、および、この半導体基板12の表面に位置し、少なくとも前記半導体基板12の表面とは反対側に半導体薄膜層18を含む転写層15を備える転写基板10を前記半導体薄膜層18側にて絶縁基板22に接合する工程と、前記絶縁基板22に接合された前記転写基板10の前記半導体基板12側を前記半導体薄膜層18まで除去する工程とを備えることを特徴とする絶縁基板上への半導体薄膜の形成方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板、および、この半導体基板の表面に位置し、少なくとも前記半導体基板の表面とは反対側に半導体薄膜層を含む転写層を備える転写基板を前記半導体薄膜層側にて絶縁基板に接合する工程と、 前記絶縁基板に接合された前記転写基板の前記半導体基板側を前記半導体薄膜層まで除去する工程と を備えることを特徴とする絶縁基板上への半導体薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

B81C1/00 ,  H01L29/84

FI (2件)：

B81C1/00 ,  H01L29/84 Z

Fターム (12件)：

4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA07 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA09 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20