特許

J-GLOBAL ID：200903089383878418

磁気抵抗型センサ

発明者： ドゥルガ・ピー・ラビパティ
出願人/特許権者： リード-ライト コーポレーション
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087675
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259410
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【構成】 基板1と該基板上に形成された積層構造とを備えるスピンバルブ磁気抵抗型センサで、積層構造は、非磁性スペーサ8により互いに分離された強磁性材料からなる1対の薄膜層6、10を有する。一方の薄膜層6の磁化の方向は、第1永久磁石層5によりピンされ(固定され)ている。第2永久磁石層12が、縦バイアスのために他方の薄膜層10付近に設けられている。第1永久磁石層は、第2の永久磁石層より実質的に高い飽和保磁力を有する。【効果】 従来の薄膜製造技術を用いて簡単な工程で製造できる。永久磁石層の腐蝕を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板と、分離された強磁性材料の第1及び第2薄膜層を有する、前記基板上に形成された積層構造と、前記第1及び第2薄膜層間に配置された非磁性スペーサ材料の層と、前記第1薄膜層の磁化の向きをピンニングして固定するために前記第1薄膜層付近に設けられた第1永久磁石手段と、前記第2薄膜層に縦バイアスを与えるために前記第2薄膜層付近に設けられた第2永久磁石手段とからなる磁気抵抗型センサであって、前記センサの抵抗率の変化が、前記強磁性材料の第2薄膜層における磁化の向きの回転の結果として生じる磁気抵抗型センサ。