特許

J-GLOBAL ID：200903089395398365

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 有馬 英夫 ,  山本 健一 ,  三浦 一真 ,  木本 良輔 ,  川窪 浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332641
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップと実装基板との接続部における機械的振動および衝撃に対する信頼性を高める。【解決手段】 はんだボール4を、Snが約97.7重量%〜99.3重量%程度、Agが約0.5重量%〜1.5重量%程度およびCuが約0.2重量%〜0.8重量%程度とした組成で形成する。

請求項（抜粋）：

(a)主面上に半導体素子および配線層を有する半導体ウェハを切断して半導体チップを形成する工程、(b)前記半導体チップを第1基板の主面上の所定の位置に搭載する工程、(c)前記半導体チップの配線層と前記第1基板の配線層とを電気的に接続する工程、(d)前記第1基板の主面上に封止用絶縁膜を形成し、前記半導体チップを封止する工程、(e)前記第1基板の裏面の所定の位置において前記第1基板の前記配線層と電気的に接続されるバンプ電極を形成する工程、を含み、前記バンプ電極はスズが97.7重量%〜99.3重量%、銀が0.5重量%〜1.5重量%および銅が0.2重量%〜0.8重量%となる組成または前記した組成にビスマス、鉛、アンチモン、亜鉛およびインジウムのうち少なくとも1種類が合計で2重量%以下含まれる組成で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。