ネイティブ基板を含む高電子移動度電子デバイス構造およびそれらを製造するための方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-522768
公開番号（公開出願番号）：特表2009-507362
出願日： 2006年05月08日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

半絶縁性AlxGayInzNの基板層と、AlxGayInzNを含む第1の層と、Alx-GayInz,Nを含む第2の層と、上述の層のいずれか内に又は上に配置された少なくとも1つの導電性端子とを含み、第1および第2の層が二次元電子ガスを形成するように構成される電子デバイス構造が提供される。薄い(<1000nm)III-窒化物層が、ネイティブ半絶縁性III-V基板上にホモエピタキシャル成長されて、向上された電子デバイス(例えば、HEMT)構造を提供する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性AlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、およびx+y+z=1)を含む基板層と、 AlxGayInzNを含む第1の層と、 Alx’Gay’Inz’N(x’+y’+z’=1)を含む第2の層と、を含む電子デバイス構造であって、前記第1の層が、前記第2の層と前記基板層との間に配置され、組み合わされた前記第1の層および前記第2の層が、二次元電子ガスを形成するように構成される、電子デバイス構造。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 25/20

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , C30B29/38 D , C30B25/20

Fターム (37件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA05 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA06 , 4G077HA20 , 5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用文献：

審査官引用 (1件)

9.4-W/mm power density AlGaN-GaN HEMTs on free-standing GaN substrates

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