特許

J-GLOBAL ID：200903089396859650

電荷転送装置

発明者： 広田 功
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312328
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138367
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 CCD電荷転送装置において負電源の廃止を図る。【解決手段】 CCDレジスタ部33,34及び出力部36のp型半導体ウエル領域がつながって形成されると共に、p型半導体ウエル領域にp型高濃度領域56,57が設けられ、CCDレジスタ部周辺のp型高濃度領域56と出力部周辺のp型高濃度領域57とが分離領域(例えばp型低濃度領域58又は水平出力ゲート電極を利用したデイプレッション型のpチャネルMOSトランジスタ)を介して接続され、出力部周辺のp型高濃度領域56に低い電圧(0V)が、CCDレジスタ部周辺のp型高濃度領域57に高い電圧(正電圧)が夫々印加されて成る。

請求項（抜粋）：

CCDレジスタ部及び出力部のp型半導体ウエル領域がつながって形成されると共に、該p型半導体ウエル領域にp型高濃度領域が設けられ、CCDレジスタ部周辺の前記p型高濃度領域と出力部周辺の前記p型高濃度領域とが分離領域を介して接続され、前記出力部周辺のp型高濃度領域に低い電圧が印加され、前記CCDレジスタ部周辺のp型高濃度領域に高い電圧が印加されて成ることを特徴とする電荷転送装置。

IPC (4件)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 29/76 301 C ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B

Fターム (25件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118DA03 ,  4M118DB06 ,  4M118DB13 ,  4M118DB16 ,  4M118DD04 ,  4M118DD08 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA50 ,  5C024AA00 ,  5C024BA00 ,  5C024CA00 ,  5C024CA16 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA13 ,  5C024GA16 ,  5C024GA22 ,  5C024GA23 ,  5C024GA44 ,  5C024JA23