特許

J-GLOBAL ID：200903089402335501

KTP単結晶の製造方法及び光導波路の製造方法

発明者： 佐藤 幸治
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 塩澤 寿夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167440
公開番号（公開出願番号）：特開平6-345596
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：

【要約】【目的】 光変調素子用基板として有用な(100)面が発達した大型のKTiOPO4 単結晶を比較的短期間に製造する方法及びこの単結晶を基板とした光導波路の製造方法の提供。【構成】 K2 Oが45〜65モル%であり、P2 O5 が25〜32モル%であり、(TiO2 )2 が10〜30モル%である組成を有するフラックスに、KTiOPO4 の種結晶を接触させ、次いで前記フラックスを冷却して、KTiOPO4 結晶の(100)面を優先的に成長させるさとを特徴とするKTiOPO4単結晶の製造方法。前記製造方法を用いてKTiOPO4 単結晶の(100)面を有する基板を作製し、この基板の(100)面をドーパントM、カリウム、チタン、リン及び酸素を含有するフラックスと接触させて、K1-x Mx TiOPO4 の単結晶薄膜(但し、ドーパントMは、薄膜の屈折率をKTiOPO4 の屈折率より高くする元素又は基である。)をエピタキシャル成長させることを特徴とする光導波路の製造方法。

請求項（抜粋）：

K2 Oが45〜65モル%であり、P2 O5 が25〜32モル%であり、かつ(TiO2 )2 が10〜30モル%である組成を有するフラックスに、KTiOPO4 の種結晶を接触させ、次いで前記フラックスを冷却して、KTiOPO4 結晶の(100)面を優先的に成長させることを特徴とするKTiOPO4 単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C30B 19/04 ,  C30B 29/14 ,  C30B 29/32 ,  G02B 6/12