特許

J-GLOBAL ID：200903089407877710

メモリカード装置

発明者： 丸山 晃司 ,  小西 和夫 ,  須山 高彰
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200310
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047190
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】この発明は、書き替えるべき新たなデータの量に対応してEEPROMの記憶内容をページイレースすることができ、消去しなくてもすむデータまでもが余分に消去されてしまうという不都合を防止し得るメモリカード装置を提供することを目的としている。【構成】データがバイト単位で入力される保持手段14と、この保持手段14に第1のページを構成する所定のバイト数のデータが入力された状態で、継続して次の第2のページを構成するバイト単位のデータが入力されたか否かを判別する判別手段13と、この判別手段13で入力されたと判定された状態で、保持手段14に保持された第1のページを構成するデータをEEPROM17に書き込むとともに、第2のページを構成するデータを書き込むべきEEPROM17の記憶領域をページ単位で消去する制御手段13とを備えている。

請求項（抜粋）：

データの消去及び書き込みがページ単位で行なわれるEEPROMを備えたメモリカード装置において、前記データがバイト単位で入力される保持手段と、この保持手段に第1のページを構成する所定のバイト数のデータが入力された状態で、継続して次の第2のページを構成するバイト単位のデータが入力されたか否かを判別する判別手段と、この判別手段で入力されたと判別された状態で、前記保持手段に保持された前記第1のページを構成するデータを前記EEPROMに書き込むとともに、前記第2のページを構成するデータを書き込むべき前記EEPROMの記憶領域をページ単位で制御手段とを具備してなることを特徴とするメモリカード装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G06F 12/02 510 ,  G11C 7/00 315