強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264430
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084758
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】微細化した場合でも安定に動作する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリを、一対の強磁性リングとその間に介在するトンネル絶縁膜あるいは非磁性導電膜により構成し、さらに一方の強磁性リング上に、回転対称軸から外して反強磁性膜パターンをピニング層として形成し、前記強磁性リングの磁化方向をピニングする。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性膜と、前記第1の強磁性膜に隣接して形成され、固定された磁化を有する第2の強磁性膜と、前記第1および第2の強磁性膜の間に挟持されたトンネル絶縁膜とよりなる強磁性トンネル接合構造と、前記第1の強磁性膜と前記トンネル絶縁膜と前記第2の強磁性膜とを、中心軸に沿って貫通する導電性プラグと、前記導電性プラグの第1の端部に接続された第1の選択線と、前記導電性プラグの第2の、反対側の端部に接続された第2の選択線とを備え、前記第1の磁性膜は、前記導電性プラグを囲むリング状形状を有し、前記導電性プラグから絶縁されおり、前記第1および第2の強磁性膜のいずれか一方は、その一部に反強磁性膜パターンを担持することを特徴とする強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ。

IPC (5件)：

G11C 11/155 , G11C 11/15 , H01F 10/06 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/155 A , G11C 11/15 , H01F 10/06 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08 Z

Fターム (16件)：

5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA09 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

磁気抵抗素子、磁性薄膜メモリ素子および該メモリ素子の記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-256965 出願人：キヤノン株式会社
特開昭59-052869
特開昭59-052869

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