特許

J-GLOBAL ID：200903089414641268

基板の処理方法および半導体装置の製造方法

発明者： 東 雅彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151394
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板1に剥離液処理、リンス処理、水洗処理、乾燥処理を順次施してレジスト除去する際、リンス処理でのリンス液の剥離液との置換効果を高め、水洗処理時における剥離液の残留による金属膜2の腐食を防止する。【解決手段】 リンス液に用いるイソプロピルアルコールを40〜60°C程度に加熱して粘度を常温時の1/2〜1/3程度に低減してリンス処理することにより、置換効果を高める。

請求項（抜粋）：

基板に剥離液処理、該剥離液をリンス液で置換するリンス処理、水洗処理および乾燥処理を順次施して、上記基板上の不要なレジストを除去する基板の処理方法において、上記リンス処理を、アルコール類を含有するリンス液を加熱して行うことを特徴とする基板の処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647

FI (5件)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 3/10 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (17件)：

2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92 ,  3B201BB95 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CC11 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA07