特許

J-GLOBAL ID：200903089418957618

半導体装置

発明者： 堀本 学 ,  横山 正穂
出願人/特許権者： 富士通テン株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192467
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041466
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 発熱源となる回路素子を含む集積回路で、発熱のために温度上昇し、回路内の温度分布も偏って過熱による誤動作や熱破壊を生じるおそれを解消し、温度特性を改善する。【解決手段】 半導体IC1の半導体チップ2の周辺部に、発熱源となる回路素子を分割した発熱源素子3-1,...,3-12を分散配置して放熱効果を高め、半導体チップ2上の温度分布の偏りを小さくする。発熱源を複数の同一特性の発熱源素子に分割して半導体チップの周辺部に分散させて配置し、温度上昇または時間経過によって動作と休止とを切換えることもできる。さらに半導体チップの温度が低下する場合には、休止中の発熱源素子を発熱動作するように切換えてチップ温度を上昇させることもできる。

請求項（抜粋）：

電子回路を構成する複数の回路素子が単一の基板上に搭載される半導体装置において、発熱源となる回路素子が基板の周辺部に分散配置されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 471

FI (2件)：

H01L 27/04 A ,  H01L 27/10 471