特許

J-GLOBAL ID：200903089420725406

薄膜トランジスタ

発明者： 本田 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219107
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115595
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】デュアルゲート構造を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層と絶縁膜の界面にキャリアが発生する確率が高く、キャリアが絶縁膜や絶縁膜と半導体層との界面に注入され、しきい値が上昇してしまうという問題があった。【解決手段】そこで本発明は、デュアルゲート構造を有する薄膜トランジスタにおいて、前記半導体膜のチャネル形成領域の前記第1のゲート絶縁膜に接する下部領域、及び前記第2のゲート絶縁膜に接する上部領域は、前記ソース領域及びドレイン領域が有する導電型と異なる導電型を付与する不純物元素を含み、前記上部領域と下部領域との間の領域は、真性または1×1015/cm3以下の濃度で前記上部領域と下部領域が有する導電型と同一の導電型を付与する不純物元素を含む薄膜トランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に設けられたソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上に設けられた第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極と、を有する薄膜トランジスタであって、前記半導体膜のチャネル形成領域の前記第1のゲート絶縁膜に接する下部領域、及び前記第2のゲート絶縁膜に接する上部領域は、前記ソース領域及びドレイン領域が有する導電型と異なる導電型を付与する不純物元素を含み、前記上部領域と下部領域との間の領域は、真性または1×1015/cm3以下の濃度で前記上部領域と下部領域が有する導電型と同一の導電型を付与する不純物元素を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092

FI (8件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/08 321 C

Fターム (91件)：

2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB03 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048CB01 ,  5F048CB10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG31 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG37 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144582   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平2-054966
  
• 特開平4-287378