粒子線治療装置及び治療計画装置及び荷電粒子ビーム照射方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323426
公開番号（公開出願番号）：特開2003-126278
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】【課題】少ないビーム照射スポット数で、患部領域に照射される線量を平坦にすることが出来る荷電粒子ビーム照射方法を提供することにある。【解決手段】患部を層分けし、ある層Siの2次元平面状の面内で三角形にビーム照射スポットを設置し、層Siのビーム照射スポットの間に、一つ手前の層Si-1のビーム照射スポットを、ある層Siに設定した三角形のビーム照射スポットの中心に設定する。これにより少ないビーム照射スポット数で患部領域を平坦に照射することが可能となる。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを加速する加速器と、前記加速器により加速された荷電粒子ビームの照射位置を制御する走査電磁石を有する照射系装置と、前記加速器と前記照射系装置に対する照射パラメータを患者の画像診断データから計算する治療計画装置からなり、前記治療計画装置は患部を複数の層に分割し更に各層面内にビーム照射スポットを配置し、前記加速器により加速された荷電粒子ビームは前記走査電磁石によりビーム照射スポット間を移動、照射を繰り返す粒子線治療装置において、ある層のビーム照射スポットの間に、一つ手前の層のビーム照射スポットを配置することを特徴とする粒子線治療装置。

IPC (3件)：

A61N 5/10 , G21K 5/00 , G21K 5/04

FI (4件)：

A61N 5/10 E , A61N 5/10 P , G21K 5/00 R , G21K 5/04 A

Fターム (5件)：

4C082AA01 , 4C082AC04 , 4C082AE01 , 4C082AG12 , 4C082AN02

前のページに戻る