半導体レーザー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173250
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030192
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】構造が簡単で温度変化や振動等の外乱に強く、その上容易に作製可能な、進行波増幅領域を備えた半導体レーザーを得る。【構成】光ガイド層24,26,28からなる活性層に沿って進行波増幅領域(利得領域)10を設けるとともに、光ガイド層24,26,28に、この光ガイド層を導波する光を反射回折させるグレーティング12からなる唯一のDBR領域11を結合させる。

請求項（抜粋）：

活性層に沿って進行波増幅領域が設けられるとともに、活性層を構成する光ガイド層に、この光ガイド層を導波する光を反射回折させる唯一のDBR(分布ブラッグ反射)領域が結合されていることを特徴とする半導体レーザー。

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