半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347887
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152085
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 MIM容量へのノイズの結合を防止し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板の上方に形成され、下部電極34と、下部電極上に形成された容量絶縁膜36と、容量絶縁膜上に形成された上部電極38とを有する容量素子40と、少なくとも容量素子の上方又は下方に形成されたシールド層14、58と、容量素子とシールド層との間に形成され、下部電極又は上部電極に電気的に接続された引き出し配線層22、50とを有し、シールド層及び引き出し配線層に、それぞれ複数の孔16、60が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、下部電極と、前記下部電極上に形成された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成された上部電極とを有する容量素子と、少なくとも前記容量素子の上方又は下方に形成されたシールド層と、前記容量素子と前記シールド層との間に形成され、前記下部電極又は前記上部電極に電気的に接続された引き出し配線層とを有し、前記シールド層及び前記引き出し配線層に、それぞれ複数の孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 , H01L 21/3205 , H01L 27/04

FI (4件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/04 C , H01L 21/88 S , H01L 21/88 K

Fターム (43件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM21 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV03 , 5F033VV10 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX24 , 5F033XX31 , 5F033XX34 , 5F038AC04 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038CD18 , 5F038DF01 , 5F038EZ11 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-209735
金属間キャパシタのインプリメンテーション
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-274259 出願人：エステーミクロエレクトロニクスエスア
特開平4-142065

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