特許
J-GLOBAL ID：200903089451222402
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021933
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216190
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 2μmを超える厚いAl膜によって最上層配線及びボンディングパッドが形成されている半導体装置において、ボンディング時にAlが削られることに起因するAl屑の発生を抑制する。【構成】 2μmを超える厚いAl膜によって最上層配線2が形成されている半導体装置において、ボンディングパッド3の全部又は一部を、ボンディングの際にAl屑が発生しにくい1.8μm以下の膜厚にする。
請求項（抜粋）：
最上層配線とボンディングパッドとが同一層の金属膜によって形成されている半導体装置において、前記最上層配線の主要な部分の膜厚が2.0μm以上であり、前記ボンディングパッドの全部または主要部の膜厚が1.8μm以下であることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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