特許

J-GLOBAL ID：200903089455190203

キャパシタ回路

発明者： 森戸 健太郎
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-310223
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146615
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】リーク電流特性や疲労特性を維持しつつ直列抵抗を下げることができるキャパシタ回路を提供する。【解決手段】薄膜キャパシタ10は、基板12,下部電極14,誘電体薄膜16,上部電極18からなり、必要に応じて誘電体薄膜16と上部電極18との界面に反応防止層20が設けられる。下部電極14には仕事関数の大きい貴金属が利用され、誘電体薄膜16には、ペロブスカイト型酸化物薄膜が利用される。該誘電体薄膜16には、リーク電流量低減のために微量の金属イオンが添加される。上部電極18としては、比抵抗が低いAl又はAlを主成分とする合金が利用される。回路中において、前記上部電極18を高電位側に接続し、下部電極14を低電位側に接続することにより、リーク電流特性及び疲労特性を維持しつつ、直列抵抗を低減することが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

誘電体薄膜の上下に第1及び第2の金属電極が配置されており、該金属電極間に極性非反転型の電圧を付加して構成されるキャパシタ回路において、 前記第1の金属電極を、前記第2の金属電極より仕事関数の大きな金属で形成するとともに、前記極性非反転電圧の低電位側に接続したことを特徴とするキャパシタ回路。

IPC (5件)：

H01L21/8242 ,  H01G4/33 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

FI (4件)：

H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C ,  H01G4/06 102

Fターム (18件)：

5E082AB01 ,  5E082BC14 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082MM23 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD21 ,  5F083GA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45