パーティクルモニター用単結晶シリコンウェーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332594
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ表面のピットの少ないパーティクルモニター用シリコン単結晶ウェーハを安価で生産性良く製造する。【解決手段】窒素ドープインゴットの肩部や尾部などを溶融原料の一部として用い、COPのないパーティクルモニター用ウェーハを安価に製造する。

請求項（抜粋）：

CZ法による窒素をドープした単結晶シリコンの製造工程において、窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの一部もしくは複数の部分を原料シリコンとして、インゴットを引き上げることを特徴とする単結晶シリコン製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , C30B 15/04 , C30B 29/06 502 , G01N 15/00

FI (4件)：

H01L 21/66 J , C30B 15/04 , C30B 29/06 502 H , G01N 15/00 C

Fターム (8件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB05 , 4G077HA12 , 4M106AA01 , 4M106CA41 , 4M106DJ32

前のページに戻る