特許
J-GLOBAL ID：200903089458975198
プラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-165585
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 エッチング量が多い圧力センサ用素子の加工においても、反応容器内の汚れの影響を受けることなく、各バッチの平均エッチレートを一定とする。【構成】 高周波電極2に対向して配した接地電極5上に被エッチング材となる基板6を配し、これら電極2、5間に高周波電力を印加して反応ガスにプラズマPを発生させてプラズマエッチングを行なう。この時、上記高周波電極2の自己バイアス電圧VDCを測定する自己バイアスモニタ7を設け、その測定値に基づいて上記高周波電極2に印加する高周波電力を調整して、プラズマ状態が各バッチ毎に一定となるように制御する。
請求項（抜粋）：
高周波電極に対向して配した接地電極上に被エッチング材となる基板を配し、これら電極間に高周波電力を印加することにより、反応ガスにプラズマを発生させてエッチングを行なうプラズマエッチング方法において、上記高周波電極の自己バイアス電圧VDCを測定し、その測定値に基づいて上記高周波電極に印加する高周波電力を調整して、上記電極間のプラズマ状態を制御しつつエッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
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