特許

J-GLOBAL ID：200903089462379737

SOI基板及びその製造方法

発明者： 鈴村 正彦 ,  高野 仁路 ,  岸田 貴司 ,  白井 良史 ,  早崎 嘉城 ,  鈴木 裕二 ,  前田 光英
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323413
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181321
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧SOI基板の活性層の薄膜化と低オン抵抗化を図る。【構成】 半導体支持基板2の主表面上に、埋め込み酸化膜3を介して、シリコン活性層4を備えたSOI基板であって、シリコン活性層4の、表面付近及び埋め込み酸化膜3との界面付近に、高濃度不純物領域17,16を備えた。【効果】 高濃度不純物領域16により、LDMOSFET等の半導体装置のドレイン・ソース間の高耐圧化、シリコン活性層の薄膜化が図れると共に、高濃度不純物領域17により、オン抵抗の低減が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体支持基板の主表面上に、絶縁膜を介して、活性層となる半導体基板を形成するSOI基板において、前記半導体基板の、表面付近及び前記絶縁膜との界面付近に、不純物濃度の高い高濃度不純物領域を備えたことを特徴とするSOI基板。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 616 S