特許

J-GLOBAL ID：200903089466914203

GaN系半導体結晶基材

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111755
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309071
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 InGaNのみならず、GaN、AlGaNなどのGaN系の結晶層を高品質に成長させ得るGaN系半導体結晶基材を提供すること。【解決手段】 結晶基板直上に、AlN低温成長バッファ層を介してAl<SB>x</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-x</SB>N(0<x≦1)下地層が成長しており、該下地層上にAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y<x)層が設けられていることを特徴とする、GaN系半導体結晶基材。

請求項（抜粋）：

結晶基板直上に、AlN低温成長バッファ層を介してAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x≦1)下地層が成長しており、該下地層上に、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y<x)層が設けられていることを特徴とする、GaN系半導体結晶基材。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA57