特許

J-GLOBAL ID：200903089471130113

半導体デバイスの素子隔離層形成方法

発明者： ズ・ヒョン・リ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002706
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260911
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 STI工程時に活性領域との境界で隔離層が凹むことを防止した半導体デバイスの素子隔離層形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上の活性領域となる箇所に上側が広がった形状の窒化物層を形成させ、その傾斜した側面に側壁を形成させ、その側壁と窒化物層をマスクとして基板をエッチングして素子隔離領域にトレンチを形成する。そのトレンチを絶縁物で埋め込んで窒化物層の表面と面一になるように平坦化させてから窒化物層を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にバッファ酸化膜、CVD酸化膜層、第1窒化物層を積層形成し、第1窒化物層を選択的に除去し、それをマスクにして半導体基板を露出させるステップと、選択的に露出された半導体基板上に第2窒化物層を形成し平坦化するステップと、平坦化された第2窒化物層をマスクに用いて、露出されたCVD酸化膜及びバッファ酸化膜を除去して、上側の幅を広くされた窒化物パターン層を基板上に形成するステップと、窒化物パターン層の側面に側壁を形成し、それをマスクにして露出された半導体基板を選択的にエッチングして勾配を持つトレンチを形成するステップと、トレンチを含む全面に埋め込み用絶縁物質層を堆積し、窒化物パターン層の表面が露出されるように平坦化し、それをマスクにして窒化物パターン層とその下のバッファ層を除去するステップと、埋め込み用絶縁物質層をエッチバックして、半導体基板のトレンチに埋め込まれると共に両側が基板表面に載せられた素子隔離層を形成するステップと、を備えることを特徴とする半導体デバイスの素子隔離層形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L