特許
J-GLOBAL ID:200903089473294377
半導体薄膜、半導体装置、及びそれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-098511
公開番号(公開出願番号):特開2002-299628
出願日: 2001年03月30日
公開日(公表日): 2002年10月11日
要約:
【要約】【課題】 結晶性のシリコン膜や結晶性の異なる結晶性シリコン膜を低温で選択的に形成し、半導体素子を生産性よく提供すること。【解決手段】 結晶性を抑制する層あるいは結晶性を促進する層を選択的に形成し、一度の成膜工程による結晶性の異なる結晶性シリコン膜の選択的形成、さらに、成膜工程に結晶性の低い膜が除去される工程が含まれることにより、結晶性シリコン膜の選択的形成を行う。
請求項(抜粋):
基体の表面もしくはその近傍に、結晶成長を抑制する層を選択的に形成し、前記基体上に、Siを主成分とし水素含有量が10atom%以下の結晶性の異なる半導体薄膜を形成させることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, B01J 19/00
, C23C 16/24
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 21/205
FI (10件):
B01J 19/00 K
, C23C 16/24
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 G
Fターム (110件):
2H092JA25
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB57
, 2H092KA04
, 2H092KA10
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA18
, 2H092MA27
, 2H092MA28
, 2H092MA30
, 2H092NA29
, 4G075AA24
, 4G075BA02
, 4G075BC01
, 4G075BC02
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075BC07
, 4G075BD14
, 4G075CA02
, 4G075CA25
, 4G075CA26
, 4G075CA47
, 4G075CA51
, 4G075DA02
, 4G075FB06
, 4G075FB12
, 4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030BB03
, 4K030BB04
, 4K030BB12
, 4K030CA06
, 4K030FA01
, 4K030JA06
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB02
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AD06
, 5F045AF07
, 5F045BB12
, 5F045DB01
, 5F045HA01
, 5F052AA02
, 5F052CA10
, 5F052DA02
, 5F052DB03
, 5F052EA11
, 5F052EA15
, 5F052FA06
, 5F052HA07
, 5F052JA01
, 5F110AA16
, 5F110AA17
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE09
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF25
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110FF32
, 5F110GG02
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG45
, 5F110GG46
, 5F110GG51
, 5F110GG52
, 5F110GG57
, 5F110GG60
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ18
, 5F110HM15
, 5F110NN04
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP34
, 5F110QQ11
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