特許
J-GLOBAL ID：200903089480871894

半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法

発明者：
山口 浩司

山口 浩司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015517
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228392
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】貫通電極の品質を劣化させることなく、貫通電極を効率よく形成する。【解決手段】裏面1 ́ ́から半導体基板1をスピンエッチングすることにより、半導体基板1を薄型化し、開口部3を貫通させて、半導体基板1に貫通孔3 ́を形成する。埋め込み電極7の先端を半導体基板1の貫通孔3から露出させ、貫通電極7 ́を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に開口部を形成する工程と、 前記開口部内に埋め込み電極を形成する工程と、 前記半導体基板の前記開口部が形成された面の裏面から、前記半導体基板をスピンエッチングすることにより、前記半導体基板を薄型化して前記半導体基板に前記開口部を貫通させる工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L25/065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (3件)：
H01L25/08 Z ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/88 J
Fターム (38件)：
5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033XX14
引用特許：
審査官引用 (9件)
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