特許

J-GLOBAL ID：200903089483736173

近接場光発生素子及び光ヘッド

発明者： 中野 隆志 ,  富永 淳二 ,  阿刀田 伸史 ,  佐藤 彰 ,  波多野 卓史
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  ミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 220000415 工業技術院産業技術融合領域研究所長 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023969
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223767
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 近接場光を利用した高密度光メモリにおいて、簡単なプロセスによって製作でき、光の利用効率の高い近接場光発生素子及び光ヘッドを得る。【解決手段】 高屈折率物質からなる固浸レンズ15の出射平面に、Alからなる第1の薄膜25と、SiNからなる中間膜26と、Alからなる第2の薄膜27とを設けた。薄膜25には第1の開口25aが形成され、薄膜27には第2の開口27aが形成され、開口27aは開口25aよりも小面積とされている。

請求項（抜粋）：

高屈折率物質からなる素子本体の出射面に、第1の光透過部と中間膜と第2の光透過部を設け、第2の光透過部は第1の光透過部よりも小面積であることを特徴とする近接場光発生素子。

IPC (3件)：

H01S 5/02 ,  G02B 21/06 ,  G11B 7/135

FI (3件)：

H01S 3/18 610 ,  G02B 21/06 ,  G11B 7/135 A

Fターム (17件)：

2H052AA00 ,  2H052AA07 ,  2H052AC05 ,  2H052AC18 ,  2H052AC34 ,  5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119CA06 ,  5D119JA33 ,  5D119JA44 ,  5D119JA64 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073BA06 ,  5F073DA35 ,  5F073FA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 情報の光記録又は再生方法並びに光記録又は再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-303618   出願人：株式会社日立製作所
• スリット・イルミネーションを採用する近距離場磁気光学的記録システム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-500715   出願人：ボードオブトラスティーズオブザリーランドスタンフォードジュニアユニバーシティ