特許
J-GLOBAL ID：200903089484278810
熱電半導体材料または素子の製造方法および熱電モジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168390
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357821
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】熱電性能の向上に有効な熱電半導体材料または素子の製造方法および熱電モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】ラバーチューブ(42)内に半導体材料の粉末と溶媒とを充填し、上部カバー(38)と下部カバー(40)で上下方向を封止した状態でラバーチューブ(42)の両端を固定リング(44)で固定する。その後、このラバーチューブ(42)をオイルバス(46)中に浸漬し、油圧を利用して該ラバーチューブ(42)内の半導体材料を側面から均等に押圧する。
請求項（抜粋）：
層状構造化合物の結晶粒(10)を含む半導体材料(12)を押圧して熱電半導体材料または素子を製造する方法において、前記押圧は、一の軸に対して直交する少なくとも3つの方向から行うことを特徴とする熱電半導体材料または素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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