特許

J-GLOBAL ID：200903089492811587

バンプ検査方法及びバンプ検査装置

発明者： 大嶋 美隆 ,  塚原 博之 ,  西山 陽二 ,  布施 貴史 ,  高橋 文之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-074845
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の上に形成されたバンプの高さを高精度で自動的に検出できるバンプ検査方法及びバンプ検査装置を提供する。【解決手段】 光源31から出射された光をウェハ10に垂直方向に照射し、反射光をラインセンサ34により受光する。そして、ラインセンサ34の出力から、バンプの頂点における光の反射強度を検出する。その反射強度に応じてレーザー光源21から出力されるレーザー光のパワーを制御し、レーザー光をバンプに照射して、三角測量法によりバンプの高さを検出する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたバンプの検査方法において、第1の光源を用いた落射照明によりバンプの頂点における光の反射強度を検出し、その結果に基づいて第2の光源から出射される光の強度を調整して三角測量法により前記バンプの高さを検出することを特徴とするバンプ検査方法。

IPC (6件)：

G01N 21/88 ,  G01B 11/02 ,  G01B 11/24 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/66 ,  H01L 23/48

FI (6件)：

G01N 21/88 645 A ,  G01B 11/02 Z ,  G01B 11/24 C ,  H01L 21/60 311 T ,  H01L 21/66 E ,  H01L 23/48