特許
J-GLOBAL ID：200903089500411046
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-058402
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273370
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】本発明は、発光素子と半導体基板間の電気容量が小さく、高速時の動作特性が良好な光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は、n型半導体基板1の表面側に斜面2a、2bと底面4からなる凹形状と、底面4上に形成される絶縁層5、素子搭載用の電極6と、さらに半田層を介して配置される半導体レーザー素子7と、半導体レーザ素子7下部のn型半導体基板1中に形成されたp型半導体領域10と、該p型半導体領域10の境界面をなすpn接合部10aと、p型半導体領域からなる受光素子12とで構成され、前記半導体基板中に形成されるpn接合領域10aと絶縁層とが直列的に接続する光半導体装置である。
請求項（抜粋）：
表面近傍に電子デバイスを形成した半導体基板と、前記半導体基板上の少なくとも電子デバイス上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された発光素子と、前記発光素子の下方で、前記半導体基板中に形成され、前記絶縁層と直列的に接続するpn接合領域と、を具備することを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 3/103
, H01S 3/18
