特許
J-GLOBAL ID：200903089500587152
プラズマ処理方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-321990
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181114
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【構成】異物をプラズマにおけるシース電界で静電気的に基板から除去した後、処理室下部に設けたマグネットコイルで磁場の発生位置を移動することによりシースに浮遊している異物をプラズマと共に処理室の周辺方向へと移動,排気する。これにより異物を確実に移動,排気する。【効果】異物の低減ができ、半導体やTFT製造における製品歩留向上が図れる。また洗浄工程と成膜、エッチングなどが連続して処理でき、工程削減,生産性向上が図れる。
請求項（抜粋）：
被処理基板を処理する処理室に対し、プラズマを前記処理室の外周方向に移動する工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, H01L 21/205
