特許
J-GLOBAL ID：200903089504134284
樹脂封止型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161239
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013490
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置において、半導体素子の中心部に電極が配置された場合でも、ワイヤと半導体素子の接触及び封止時のワイヤ流れを発生させずに組立が可能な構造を提供する。【構成】半導体素子3上に、半導体素子の電極4を露出させる形状でかつ、半導体素子の電極4と接続される第1の電極7と、インナーリード2と接続される第2の電極8と、第1の電極7と第2の電極8を接続する配線9を有する絶縁フィルム6を貼付けて、半導体素子をアイランドにダイボンディングし、電極4と第1の電極7および第2の電極8とインナーリード2をワイヤボンディングし、樹脂封止する。
請求項（抜粋）：
半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置において、半導体素子上に、絶縁フィルムが接着され、前記絶縁フィルムは、前記半導体素子の電極部分を露出させる形状で、かつ、前記絶縁フィルム上に、半導体素子の電極と接続された第1の電極と、リードフレームのインナーリードと接続された第2の電極と、前記第1および第2の電極間を接続する配線が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
