ハイブリダイゼーション用基板、この基板の製造方法及び使用方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228374
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043037
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】表面被覆率及び活性度を高めた、基板表面にDNA鎖を固定化したハイブリダイゼーション用基板及びその製造方法を提供し、さらにはこの基板を用いた相補性試験方法を提供すること。【解決手段】基板表面に、二重鎖部分及び一重鎖部分を有するDNA鎖が固定化されており、かつ前記DNA鎖は、前記二重鎖部分側が前記基板表面に固定化されているハイブリダイゼーション用基板。金属基板または金属被覆を有する基板の金属表面に、二重鎖部分及び一重鎖部分を有し、かつ前記二重鎖部分の末端にチオール基を有するDNA鎖を接触させて、前記DNA鎖を前記金属表面に固定化させる、基板の製造方法。上記基板のDNA鎖を固定化した表面にターゲットDNAを接触させ、ターゲットDNAと二重鎖部分及び一重鎖部分を有するDNA鎖の一重鎖部分との相補性を試験する方法。

請求項（抜粋）：

基板表面に、二重鎖部分及び一重鎖部分を有するDNA鎖が固定化されており、かつ前記DNA鎖は、前記二重鎖部分側が前記基板表面に固定化されているハイブリダイゼーション用基板。

IPC (12件)：

G01N 33/53 , C12M 1/00 , C12N 15/09 ZNA , G01N 5/02 , G01N 21/27 , G01N 21/64 , G01N 33/483 , G01N 33/566 , G01N 33/58 , G01N 37/00 102 , G01N 21/35 , G01N 31/22 121

FI (13件)：

G01N 33/53 M , C12M 1/00 A , G01N 5/02 A , G01N 21/27 C , G01N 21/64 F , G01N 33/483 A , G01N 33/483 C , G01N 33/566 , G01N 33/58 A , G01N 37/00 102 , G01N 21/35 Z , G01N 31/22 121 P , C12N 15/00 ZNA F

Fターム (44件)：

2G042AA01 , 2G042BD19 , 2G042CA10 , 2G042CB03 , 2G042DA08 , 2G042FA11 , 2G042FB02 , 2G042FB05 , 2G042HA02 , 2G043AA03 , 2G043BA16 , 2G043DA02 , 2G043EA01 , 2G043LA01 , 2G045AA35 , 2G045BB22 , 2G045DA13 , 2G045FA03 , 2G045FA11 , 2G045FB02 , 2G045FB12 , 2G045GC15 , 2G059AA05 , 2G059BB12 , 2G059CC16 , 2G059EE02 , 2G059HH01 , 2G059JJ01 , 2G059KK01 , 4B024AA11 , 4B024BA80 , 4B024CA04 , 4B024CA05 , 4B024CA09 , 4B024HA11 , 4B024HA12 , 4B024HA13 , 4B029AA07 , 4B029AA21 , 4B029BB20 , 4B029CC03 , 4B029FA02 , 4B029FA10 , 4B029FA15

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