特許

J-GLOBAL ID：200903089513591213

高電圧垂直伝導スーパージャンクション半導体デバイス

発明者： ダニエル エム.キンザー ,  スリカント スリデバン
出願人/特許権者： インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374875
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217415
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 非常に高い電圧をブロックすることができ、かつ伝導モードで極めて低いオン抵抗を有する高電圧垂直伝導スーパージャンクション半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 高電圧垂直伝導半導体デバイスは、一方の導電型の軽くドープされたボディに複数の深いトレンチ3を有する。トレンチ3の壁に、もう一方の導電型の拡散領域が、ボディの深さおよび濃度に整合した深さおよび濃度で形成され、逆方向ブロッキング下で両方の領域が完全に空乏化する。細長いトレンチ12に、シリコンの寸法変化に整合した横方向の寸法変化を有する例えば窒化層と酸化層の複合層である誘電体を充填する。この充填材を、ブロッキング中にトレンチの全長に沿って均一な電界分布を保証するソースからドレインへのリーク電流を許す高抵抗のSIPOSとすることもできる。

請求項（抜粋）：

一方の導電型のボディと、該ボディの上面に形成された複数の離隔した垂直トレンチと、前記複数のトレンチの内面に形成されたもう一方の導電型の拡散領域と、前記ボディの最上部及び前記拡散領域の各々の最上部に接続されたMOSゲート構造とを備え、前記ボディにブロッキング電圧を印加したときの前記拡散領域及び前記ボディの実質的に完全な空乏化させるように、前記拡散領域の厚さ及び濃度と前記ボディの幅および濃度が整合されることを特徴とする高電圧垂直伝導スーパージャンクション半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-064545   出願人：トヨタ自動車株式会社