特許
J-GLOBAL ID：200903089526262693
基板処理装置及び基板処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275742
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121435
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 処理チャンバ内でのウェーハ表面へのパーティクルの付着を抑制するすること。【解決手段】 処理チャンバ2内でウェーハ1に高周波電力を印加し、プラズマを用いてウェーハ1を処理するに基板処理装置に、ウェーハ1を囲むようにウェーハ1近傍に集塵リング5を設けるとともに、この集塵リング5に直流電力を印加する直流電源8を設ける。この装置を使用して、集塵リング5に直流電力を印加して処理チャンバ2内に浮遊するパーティクルを集塵リング5に吸着させた後に、ウェーハ1に高周波電力を印加して所望の処理を行う。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内で基板に高周波電力を印加し、プラズマを用いて該基板を処理する基板処理装置において、該基板を囲むように該基板の近傍に配設された集塵リングと、該集塵リングに直流電力を印加する直流電源とを有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
