特許

J-GLOBAL ID：200903089527597184

不揮発性半導体メモリ

発明者： 中 井 弘 人 ,  加 藤 秀 雄 ,  浅 野 正 通 ,  徳 重 芳 ,  山 村 俊 雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282882
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 メモリ制御チップによるページアドレス管理を行うことなく動作させると共に、書き込み時間の短縮を図る。【構成】 読み出しに当っては、読み出しスタート番地からその行(ページ)の最終アドレスまでについてのデータをデータレジスタに転送し、さらに次ページの最初から最後までのアドレスについてのデータをデータレジスタに転送し、これを繰り返えす。書き込みに当っては、ページの途中から書き込む場合には、書き込みデータの入力されないデータレジスタについてはデータを設定して、書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

ほぼマトリクス状に配列された複数のメモリセルを有し、前記メモリセルのうちの選択した行に並ぶもののデータをパラレルに複数のデータレジスタに転送し、それらのデータレジスタ内のデータをシリアルに外部に出力し、順次この動作を繰り返えす、ページ読み出し可能な不揮発性半導体メモリにおいて、外部から入力される読み出しスタート番地を記憶するアドレス入力手段と、前記アドレス入力手段に記憶された内部アドレスをインクリメントするアドレス制御手段と、前記データレジスタからの1ページ分のデータ出力の終了後に、前記メモリセルのデータを前記データレジスタに転送する、読み出し手段と、前記読み出し手段により前記転送が行われている間、アクセス不可を示すビジー信号を外部に出力する、ビジー信号出力手段と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 8/00 311

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-094198
  
• 特開昭59-056276
  
• 特開平2-257494
  
• 特開平3-058384