特許
J-GLOBAL ID：200903089528911427
スパッタ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079315
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243155
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 スッパタ装置による成膜時特性の均一化及び異物の低減化を図る。【構成】 その内周に複数の穴(もしくはスリット)11aを有する円周状のガス導入管5a及び、ウェハホルダ4裏面側に開口を有し、支持された半導体基板3周辺部に隙間8を有するガス導入管を用い、ターゲット2の周辺及び半導体基板3の周辺から、同時に反応性ガス(Ar,N2 など)を均一に供給し、またガス方向転換器7aでガスの方向を一部転換してターゲット2と半導体基板3に一様にガスを分布させ、カソード1後部に配置された円周状の真空排気管6a内周の複数の穴(もしくはスリット)11bにより残留ガスをカソード1周辺から一様に排気をしながら反応性スパッタを行う。
請求項（抜粋）：
基板上に反応性ガスを供給し、該反応性ガスをイオン化してスパッタ源に入射させ、該スパッタ源より射出した金属粒子を上記半導体基板表面に堆積させるスパッタ装置において、上記半導体基板の周辺から、及び上記スパッタ源の周辺からそれぞれ同時に上記反応性ガスを均一に供給するガス導入手段と、反応後の残留ガスを上記スパッタ源周辺から一様に真空排気をする排気手段とを備えたことを特徴とするスパッタ装置。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 14/34
, H01L 21/285
