プラズマCVD法による堆積膜形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199869
公開番号（公開出願番号）：特開平11-080964
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、長時間にわたる連続成膜においても堆積膜に欠陥が発生することなく高品質の堆積膜を形成することができ、また、後段の排気系に排気ガスに含まれている粉体生成成分が到達することを防止し、真空排気系に微粉体の詰まりによる故障が発生することなく長時間連続して稼動可能なプラズマCVD法による堆積膜形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも真空容器と、ガス供給手段とガス排気手段と放電手段とを備え、前記真空容器内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記真空容器内のプラズマ放電空間内及び/又はプラズマ放電空間近傍に、ルーバー状部材を配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも真空容器と、ガス供給手段とガス排気手段と放電手段とを備え、前記真空容器内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記真空容器内のプラズマ放電空間内及び/又はプラズマ放電空間近傍に、ルーバー状部材を配置したことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

堆積膜形成方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056014 出願人：キヤノン株式会社
成膜装置およびその排気トラップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-341828 出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-075636 出願人：日新電機株式会社

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