特許

J-GLOBAL ID：200903089533252687

液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法

発明者： 川崎 清弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311454
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：

【要約】【課題】 電極配線の低抵抗化は大画面・高精細・高速応答の液晶パネルにおいては必須の要素技術であり、次世代では銅が用いられるのは必至であるが、銅は密着性と対酸化性に課題が多く、銅単体での使用は困難である。【解決手段】 露出した電極線(走査線と信号線)上に銅を鍍金で、引き続き有機絶縁層を電着で形成することにより、真空製膜装置と真空食刻装置を用いることなく電極線の低抵抗化が実現する。

請求項（抜粋）：

島状のゲート絶縁層と前記島状のゲート絶縁層より小さいチャネル形成領域を除いてゲート電極上に低抵抗金属層と有機絶縁層とが形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (10件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 505 ,  G02F 1/1362 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786

FI (15件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 505 ,  G02F 1/1362 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 A ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 21/88 R

Fターム (146件)：

2H091FA02Y ,  2H091FA08X ,  2H091FA08Z ,  2H091FA35Y ,  2H091GA01 ,  2H091GA08 ,  2H091GA13 ,  2H091HA07 ,  2H091LA30 ,  2H092GA40 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA24 ,  2H092MA30 ,  2H092MA34 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  2H092PA03 ,  2H092PA08 ,  2H092PA11 ,  2H092QA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104CC05 ,  4M104DD52 ,  4M104DD89 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  5C094AA05 ,  5C094AA13 ,  5C094AA14 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094ED02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR22 ,  5F033SS25 ,  5F033SS26 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX08 ,  5F033XX31 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE37 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN06 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN35 ,  5F110NN38 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-062052
  
• 反射型液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-208817   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-321793   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-062052