特許
J-GLOBAL ID：200903089533890780
面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザ光送信モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077491
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273461
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 長波長帯面発光半導体レーザでは、良質な活性層を形成することができるInP基板上に良質な反射鏡を形成できなかった。一方、InP基板上に作製されたAlGaAsSb系による反射鏡は、良質な反射鏡を実現できることが計算によって示されている。ところが、混晶を構成する元素が均一に交じり合わず、異なった組成の結晶が混在するという非混和性の影響のため、良質な結晶を作製することがきわめて困難であった。このため、高品質<HAN>・</HAN>高反射率を有する反射鏡を作製できなかった。【解決手段】 反射鏡を平均組成Al(x)Ga(1-x)AsSbであるAlGaAsとAlGaSbの超格子、および平均組成Al(y)Ga(1-y)AsSbであるAlGaAsとAlGaSbの超格子(0≦x<y≦1)により構成する。
請求項（抜粋）：
InP基板上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得るために活性層の上下を反射鏡で挟んだ共振器構造を有し、前記基板結晶と垂直に光を発射する面発光半導体レーザにおいて、反射鏡の少なくとも1つが平均組成Al(x)Ga(1-x)AsSbであるAlGaAsとAlGaSbの超格子および平均組成Al(y)Ga(1-y)AsSbであるAlGaAsとAlGaSbの超格子(0<x<y<1)により構成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F073AA65
, 5F073AA71
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA12
