特許
J-GLOBAL ID：200903089540366400
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062986
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 バイポーラトランジスタのベースとベース引き出し電極の接続に関し,接続を完全化し,ベース抵抗の低減を目的とする。【構成】 ベース領域とベースコンタクト領域にまたがった領域の基板内に形成され且つ該ベースコンタクト領域より低濃度の反対導電型リンクベース拡散層1Lとを有するように構成, および一導電型半導体基板上に反対導電型半導体膜を被着し,その上にベース形成領域が開口された絶縁膜4を形成し,該絶縁膜をマスクにして反対導電型半導体膜をエッチングしてベース引き出し電極3を形成し,開口部に反対導電型不純物を導入してp型ベース領域1Bを形成し,開口部の側面に絶縁膜からなる側壁5を形成し,開口部に反対導電型イオンを斜め注入してリンクベース拡散層1Lを形成し,基板上に該開口部を覆って一導電型半導体膜からなるエミッタ電極6を形成し,基板を熱処理するように構成する。
請求項（抜粋）：
一導電型基板(1) 内に形成された反対導電型ベース領域(1B)と,該反対導電型ベース領域内に形成された一導電型エミッタ領域(1E)と,該ベース領域に隣接して該基板に形成された高濃度反対導電型ベースコンタクト領域(1BC) と,該ベース領域と該ベースコンタクト領域にまたがった領域の該基板内に形成され且つ該ベースコンタクト領域より低濃度の反対導電型リンクベース拡散層(1L)とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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