特許
J-GLOBAL ID：200903089544364711
太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237442
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 高密度に集積され直列接続される薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基板上に第1電極層を形成し、レーザ照射により高抵抗化する金属材料を用いて第1電極層の上に複数の帯状導電物層を所定距離だけ隔てて平行に形成し、形成された各帯状導電物層の幅方向の半分の領域を長手方向にレーザを照射し高抵抗化して絶縁体層に変換すると共に他の半分の領域を導電体層として残し、第1電極層表面から基板表面に達するように第1溝を形成して第1電極層を絶縁性基板上で複数のセグメントに分離し、光電変換層を形成し、光電変換層表面から各導電体層表面に達するように第2溝を形成して光電変換層を複数のセグメントに分離し、第2電極層を形成し、第2電極層表面から光電変換層を通って絶縁体層に達するように第3溝を形成して第2電極層を複数のセグメントに分離する工程を備える。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に第1電極層を形成し、第1電極層の上に複数の帯状導電物層を所定距離だけ隔てて平行に形成し、形成された各帯状導電物層の幅方向の半分の領域を高抵抗化して絶縁体層に変換すると共に他の半分の領域を導電体層として残し、第1電極層表面から基板表面に達するように各導電体層の近傍に各導電体層と平行な第1溝を形成して第1電極層を絶縁性基板上で複数のセグメントに分離し、前記第1電極層、導電体層、絶縁体層および第1溝を一様に覆うように光電変換層を形成し、光電変換層表面から各導電体層表面に達するように第1溝に平行に第2溝を形成して光電変換層を複数のセグメントに分離し、前記光電変換層のセグメントおよび第2溝を一様に覆うように第2電極層を形成し、第2電極層表面から光電変換層を通って絶縁体層に達するように絶縁体層上に第2溝に平行に第3溝を形成して第2電極層を複数のセグメントに分離する工程を備えた太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 31/04 E
5F051AA05
, 5F051AA09
, 5F051CA15
, 5F051CB27
, 5F051EA02
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051GA05
