特許

J-GLOBAL ID：200903089548687914

回路基板、両面回路基板、多層回路基板及び回路基板の製造方法

発明者： 鈴木 武 ,  越智 正三 ,  野田 修 ,  西山 東作 ,  仲谷 安広
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048220
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251703
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 IVH接続の信頼性を高くすることができる回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性組成物103によって充填された貫通孔を有する絶縁体層と、導電性組成物103の一方または両方の面の上に形成された導電性のバッファー層101と、導電性のバッファー層101上に形成された配線パターン102とを備え、導電性のバッファー層101は、導電性組成物103、配線パターン102のいずれか一方または両方と合金または金属間化合物を形成している回路基板である。

請求項（抜粋）：

導電性組成物によって充填された貫通孔を有する絶縁体層と、前記導電性組成物の一方または両方の面の上に形成された導電性のバッファー層と、前記導電性のバッファー層上に形成された配線パターンとを備え、前記導電性のバッファー層は、前記導電性組成物、前記配線パターンのいずれか一方または両方と合金または金属間化合物を形成していることを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/11 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H05K 1/11 H ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/46 L ,  H05K 3/46 N