特許
J-GLOBAL ID：200903089550581155
液相エピタキシャル成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 秀隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163488
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330983
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】下地基板がPbO等の蒸気に直接さらされることなく十分に予熱工程を行い、良質な単結晶膜を得ることができる液相エピタキシャル成長装置を提供すること。【構成】支持棒20の下端部に固定された基板保持具11には、下地基板8と、下地基板8の上方に位置する邪魔板9と、下地基板8の下方に位置する邪魔板10とが平行に保持されている。邪魔板9,10は溶液7から蒸発するPbO等の蒸気が下地基板8に直接付着するのを防止する。
請求項（抜粋）：
支持棒の下端部に基板保持具を取り付け、この基板保持具に保持された下地基板を単結晶原料が溶解されている坩堝内に浸漬し、一定位置で回転させながら所定時間成長を行うことにより、下地基板の表面に単結晶膜を育成する液相エピタキシャル成長装置において、上記基板保持具には、下地基板の下方に間隔をあけて邪魔板が保持されていることを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
IPC (3件)：
C30B 19/06
, C30B 29/28
, H01L 21/208
