特許
J-GLOBAL ID：200903089551733382
合金とその製造方法及びX線マスクとその製造方法及び半導体デバイスとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015460
公開番号（公開出願番号）：特開平11-209840
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：
【要約】【課題】 高いX線阻止能、アモルファス構造、再現性の高い低応力特性を兼ね備えたX線吸収体材料を得る。【解決手段】 TaGeRe合金膜をX線吸収体1として用いる。TaGeRe合金膜は、高いX線阻止能を持つアモルファス膜であり、スパッタ成膜時の応力の再現性も高い。TaGeRe膜の応力は、合金組成及びスパッタガス圧の調節により容易に低応力に制御可能である。また、成膜後のアニール処理により応力を制御することもできる。このTaGeRe膜をX線吸収体1に適用することにより、位置歪みの小さい高精度なX線マスクを容易に得ることができる。
請求項（抜粋）：
少なくともTa、Ge、及びReを含有する合金。
IPC (6件)：
C22C 27/00
, C22C 27/02 103
, C23C 14/34
, G03F 1/16
, H01L 21/027
, C22C 45/00
C22C 27/00
, C22C 27/02 103
, C23C 14/34 A
, G03F 1/16 A
, C22C 45/00
, H01L 21/30 531 M
