特許

J-GLOBAL ID：200903089555118976

半導体装置の製造方法

発明者： 後藤 登
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286386
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142426
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 エアブリッジ配線を有する半導体集積回路を効率良く製造する方法に関する。【構成】 半導体ウェーハ1上に少なくともエアブリッジ配線22を有する回路を形成する工程と、半導体ウェーハ1を基板2上に固着する工程と、半導体ウェーハ1上に保護膜4を形成する工程と、半導体ウェーハ1をダイシングブレード31によって切断する工程と、前記保護膜4を除去する工程と、ダイボンディングする工程とを含む発明である。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上に少なくともエアブリッジ配線を有する回路を形成する工程と、半導体ウェーハを基板上に固着する工程と、半導体ウェーハ上に保護膜を形成する工程と、半導体ウェーハをダイシングブレードによって切断する工程と、前記保護膜を除去する工程と、ダイボンディングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/52

FI (5件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 Z ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q