特許
J-GLOBAL ID：200903089555838898
シリコンウエハ切断装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269927
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120334
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の収量を増加させ製造コストを低下できるシリコンウエハ切断装置を得る。【構成】 シリコンウエハ3の厚さを設定すると切断可能なレーザー出力及び切断幅を設定するとともにレーザースポット9をシリコンウエハ上に照射するレーザー装置10と、入力されるシリコンウエハ3の直径と半導体基板3aの寸法及び切断幅からシリコンウエハ3の切断パターンを生成して切断能率の高い切断パターンとレーザースポット9の走査手順を設定し、走査手順に従ってXYテーブル1を駆動する信号を出力するXYテーブル制御部14を備える。
請求項（抜粋）：
X軸とY軸方向に移動可能なXYテーブル上に載せられたシリコンウエハを切断して半導体基板を得るシリコンウエハ切断装置において、上記シリコンウエハの厚さを設定すると切断可能なレーザー出力及び切断幅を設定するとともにレーザースポットを上記シリコンウエハ上に照射するレーザー装置と、入力される上記シリコンウエハの直径と上記半導体基板の寸法及び上記切断幅から上記シリコンウエハの切断パターンを生成して切断能率の高い切断パターンと上記レーザースポットの走査手順を設定し、上記走査手順に従って上記XYテーブルを駆動する信号を出力するXYテーブル制御部を備えたことを特徴とするシリコンウエハ切断装置。
IPC (2件)：
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