特許

J-GLOBAL ID：200903089558131434

CVD装置の洗浄方法

発明者： エルケ フリッチュ ,  クリスティネ デーム ,  ヘルマン ヴェント ,  フォルカー ヴァインリッヒ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-096241
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：

【要約】【課題】 CVD装置の洗浄方法を提供する。【解決手段】 該洗浄方法では、反応器内壁に無定形被膜を形成するアルカリ土類金属及び/又は金属含有プロセス残渣を、遊離ジケトンを含有するドライエッチング媒体を用いて強度に低下させた圧力及び高めた温度で除去する。その際、遊離ジケトンはアルカリ土類金属錯体及び/又は金属錯体を形成させ、かつエッチング媒体が、アルカリ土類金属及び/又は金属と反応して揮発性錯体を形成する。

請求項（抜粋）：

酸化物セラミックの堆積のために使用されかつプロセス室に向いた表面にアルカリ土類金属及び/又は金属含有プロセス残渣が付着したCVD装置を洗浄する方法において、洗浄のために遊離ジケトンを含有するエッチング媒体を使用し、該エッチング媒体をプロセス残渣と接触させ、ジケトンとプロセス残渣を反応させて、アルカリ土類金属錯体及び/又は金属錯体を形成させ、かつエッチング媒体が、アルカリ土類金属錯体及び/又は金属錯体のオリゴマー化を阻止するために、アンモニア、アミン、ポリエーテル添加物、ポリアミン添加物及びテトラグリムを含む群から選択される少なくとも1種の化合物を含有することを特徴とする、 CVD装置の洗浄方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 F